Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 配置使用美国 KRI Φ8cm 考夫曼离子源, 蚀刻均匀性: ±5%, 刻蚀速率: 20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷), 0~90度旋转.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国 KRI 考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
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真空腔 |
1 set, 主体不锈钢,水冷 |
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基片尺寸 |
1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
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离子源 |
ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
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离子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
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极限真空 |
≦1x10-4 Pa |
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蚀刻均匀性 |
一致性: ≤±5% across 4” |
| 蚀刻速率 | 20 nm/min |
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 通不同气体的蚀刻速率:
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 应用案例：
1. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层
2. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片
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