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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 配置使用美国 KRI Φ20cm 考夫曼离子源, 蚀刻均匀性: ±5%, 刻蚀速率: 20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷), 0~90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.
Hakuto 离子蚀刻机主要优点:
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J技术参数
| PAN="3" style="font-family: "Noto Sans SC", sans-serif; box-sizing: border-box; position: relative; margin: 0px; PAdding: 2px; list-style: none; width: auto !important;">
Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 |
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样品台 |
直接冷却,水冷 |
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离子源 |
Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用案例：
1. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE 去除印刷电路板污染物
2. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘 GMR 磁头
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