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离子束流: >800 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量(Typical flow): 10-40 sccm; 压力: < 0.5m Torr
离子束可聚焦, 平行, 散射.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
PAN="1" style="font-family: "Noto Sans SC", sans-serif; box-sizing: border-box; position: relative; margin: 0px; padding: 2px; list-style: none; text-align: center; width: auto !important;">
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：
1. 预清洗
2. 表面改性
3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
4. 溅镀和蒸发镀膜 PC
5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD
6. 离子蚀刻 IBE
KRI 射频离子源相关应用案例:
1. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE
2. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325 辅助 LED-DBR 镀膜
3. 伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)
